研究室メンバー★当研究室は次世代パワーエレクトロニクス研究センターに属しています。
研究者紹介（大学HP） Linkedin
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2023年度 博士後期課程 5名、博士前期課程 9名、学部生1名 在籍
2022年度 博士後期課程 4名、博士前期課程 8名、学部生3名 在籍
2021年度 博士後期課程 7名、博士前期課程 12名、学部生1名 在籍
2020年度 博士後期課程 6名、博士前期課程 16名、学部生2名 在籍
2019年度 博士後期課程 7名、博士前期課程 13名、学部生4名 在籍
2018年度 博士後期課程 4名、博士前期課程 15名、学部生4名 在籍
2017年度 博士後期課程 3名、博士前期課程 6名、学部生5名 在籍
大村研究室は、2017年4月より、生命体工学研究科所属となりました。
研究室紹介動画（YouTube 公開中）
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博士論文
氏名 論文題目 年度 河野 洋志
Hiroshi KonoNovel TCAD-based Signal-Flow Graph Approaches for the Stability Analysis of Power Semiconductor Devices
TCADシミュレーションを用いたシグナルフローグラフモデルに基づくパワー半導体素子の安定動作設計法の研究2021 Gollapudi Srikanth A Universal Failure Rate Calculation Method
for Single Event Burnout in
High Power Semiconductor Devices2021 湯淺 一史
Kazufumi Yuasa需要家側蓄電システムの運用制御技術に関する研究
Advanced operation strategy for demand side battery energy storage systems2021 馬場 嘉朗 パワー半導体産業の比較分析と微細化技術の導入効果に関する研究 2020 鳥見 聡 SiCパワー半導体バイポーラ劣化抑制方法の研究 2019 Kenya Kobayashi Novel Trench Power MOSFETs and Structure-based Compact Model for High Efficiency Electronics Application 2019 Erdenebaatar Dashdondog Failure Rate Calculation Method for High Voltage Semiconductor Devices under Space Radiation Environments 2017 岡野 資睦 電子機器の新設計手法に関する研究 －デジタルモバイル機器の協調設計－ 2015 附田 正則 シリコンパワー半導体の高効率化に関する研究 2013 Masahiro Tanaka Novel Structure Oriented Compact Model and Scaling Rule for Next Generation Power Semiconductor Devices 2012 -
2022年度活動
2023年3月 モンゴル国立大学教員・学生が訪日、協働プロジェクトを実施
2022年12月 モンゴル国立大学を訪問・協働プロジェクトを実施
2022年10月～11月 VR体験
2022年8月～9月 高専インターンシップ（2週間）
2022年5月14日 2年ぶりの対面オープンキャンパス
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2020年度活動
- オンライン（Zoom）ゼミ（毎週）
- TCADシミュレーション
グループ
- 信頼性研究グループ
- 回路・高電圧計測グループ
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研究成果の発表
次世代PE研究センターホームページに発表論文を掲載中です。研究成果は、
ISPSD（The International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs）、
ESREF（European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis）、
APEC（Applied Power Electronics Conference and Exposition）、
SSDM（International Conference on Solid Devices and Materials））、
CIPS （International Conference on Integrated Power Electronics Systems Conference）、
電気学会等の学会で発表を行っています。また、各種イベント（イノベーションジャパン、ワークショップ）などでも積極的に発表を行っています。PEセンタAnnual Meetingでもポスター発表を行っています。
- 令和2年度 電気学会電産業応用部門優秀論文賞 受賞
令和2年12月21日～22日にオンラインで行われた、電気学会産業応用部門（D 部門）電子デバイス/半導体電力変換合同研究会 パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術において発表した論文2件が、電気学会産業応用部門（D 部門）優秀論文発表賞を受賞しました。
論文題目： パワーデバイス電流集中測定技術 著 者： 西尾成植, 松浦成哉, 附田正則, 大村一郎 概 要： IGBTモジュールなどパワーデバイスパッケージ内部のチップ間及びチップ内での電流集中現象は、電流センサのサイズやIGBTチップ内の電流分離の問題から測定困難であった。本研究では、電流センサの小型化と特殊なサンプルIGBTの作製により、実使用と同等の条件下で電流集中現象の測定に成功した。本技術は電流集中のメカニズムの分析に大きく貢献する。
※本論文は、令和 2 年度 電気学会電子デバイス／半導体電力変換合同研究会 学生奨励賞も受賞しました。
論文題目： 650V定格FP-MOSFET実現に向けた理論検討 著 者： 星原宏紀, 伊東篤史, 大村一郎 概 要： フィールドプレートMOSFET（FP-MOSFET）はシリコン限界より低オン抵抗を実現できるため150V程度まで商品化されている。FP-MOSFETのさらなる高耐圧化を目指し650V定格のFP-MOSFETについて解析による研究を行った。本研究では数式による解析モデルとイオン化積分を組み合わせたデバイスモデルで構造設計し、TCADによる確認を行った。その結果、650V定格でSJ-MOSFETと同等以下のオン抵抗実現が原理的に可能であることを明らかにした。
- 学内セミナ：ポスターセッション（27件）（2019年11月20日）
- ISPS2018（ プラハ）
- PE研究センターワークショップでの
ポスタ発表
- 電気学会産業応用部門
優秀論文発表賞（2018）
「宇宙環境で用いるパワーデバイスの
宇宙線故障率の算出法提案」
永松 拓朗君
- Best Student Poster Award（2018）
International Workshop on
Power Supply on Chip 2018
"Design Consideration of Air-Core On-Chip Spiral Coil for Power-SoC"
Hikaru Kaishakuji
- 令和2年度 電気学会電産業応用部門優秀論文賞 受賞
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大学の研修プログラム
- モンゴル国立大学への短期訪問（2019年7月～8月）
2019年モンゴルGIパンフレット
- 韓国研修参加（2018年12月）
- GI育成コース（2018年10月）
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2019年度研究室イベント
- 新入生歓迎会BBQ （2019年4月9日）
- ボーリング大会（2019年7月20日）
- ソフトボール大会（2019年6月/11月）
- ボーリング大会（2019年12月26日）
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2018年度研究室イベント
- 2018年納会
- 卓球大会
- 10周年記念パーティ
- ソフトボール大会
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これまでの卒業生の就職先
- 三菱電機株式会社
- 株式会社ＮＴＴファシリティーズ
- 東芝三菱電機産業システム株式会社
- 富士電機株式会社
- スズキ株式会社
- 東芝キヤリア株式会社
- 株式会社SUMCO
- ＪＦＥスチール株式会社
- 日本ケミコン株式会社
- 日鉄鉱業株式会社
- 田淵電気株式会社
- マレリ株式会社
- 株式会社ＧＳユアサ
- パナソニック株式会社
- フクダ電子株式会社
- 九州電力株式会社
- 株式会社デンソー
- トヨタ自動車九州株式会社
- 株式会社アイシン
- 日立Astemo株式会社
- 株式会社九電ハイテック
- ヤマハ発動機株式会社
- 株式会社安川電機
- 株式会社オービック
- 株式会社リコー
- オムロン株式会社
- 株式会社ディスコ
- 東レ株式会社
- 株式会社日立製作所
- 株式会社指月電機製作所
- 本田技研工業株式会社
- 正興電機株式会社
※順不同
2021年度活動
2年ぶりに開催された電気コース対抗ソフトボール大会で、大村研究室・安部研究室・松本研究室合同チームが優勝しました！！